檢索結果:共31筆資料 檢索策略: "Shih-Hsiang Hsu".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="莊敏宏"
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本篇論文提出了四顆不同結構的注入鎖定除頻器,分別為三共振除三注入鎖定除頻器、電容耦合之除三注入鎖定除頻器、三注入除五鎖定除頻器以及寬除頻範圍除六注入鎖定除頻器。 首先,我們探討一個使用台積電0.18…
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功率金氧半場效電晶體是重要的分立元件。其元件特性包含低導通功率損耗、高輸入組阻抗、快速切換,以及承受大電壓及電流。其元件特性可作為開關使用,主要應用在功率轉換、整流、線路保護等,以電子產品來說用途相…
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鰭式場效電晶體在目前半導體產業有非常重要的地位,其比傳統平面式金氧半場效電晶體更有可以縮小 的 特性,除了使佈局的面積縮小以外,其電特性也比傳統平面式金氧半場效電晶體更優秀,提供更好的閘極控制 …
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隨著5G世代快速的發展和對於節能的重視,許多的事物逐漸邁向自動化,使得功率積體電路的應用逐漸廣泛。功率金氧半場效電晶體具有元件尺寸小、低導通電阻值、高切換速度以及可承受大電壓及大電流等優點。 現在市…
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由於鰭式場效電晶體(Fin Field Effect Transistors, FinFET)元件具有三面環繞閘極之設計結構,可以比傳統金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semic…
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隨著市場發展和科學技術進步,功率元件對於半導體產業已經是不可或缺的存在。本論文研究主題是廣泛應用高壓領域的LDMOS,由於LDMOS具有出色的熱穩定性、高增益、高效率開關、能夠承受高擊穿電壓和高工作…
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隨著功率元件的需求提高,氮化鎵成為被廣泛應用的材料,因為和傳統的矽材料相比,而且氮化鎵有寬能隙、高崩潰電壓、熱穩定性佳、高峰電子速率等優點。氮化鎵和氮化鋁鎵接觸所形成的異質接面時,導致壓電極化…
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近幾年來,薄膜電晶體技術(TFT)發展地非常迅速,它被廣泛的應用在積體電路和顯示器設備上。傳統上薄膜電晶體大多使用非晶矽材料,但銦鎵鋅氧化物在近年來也逐漸被關注,它擁有更快的載子遷移率,能夠更有…
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近年來隨著製程技術的進步使得元件之通道長度可以持續微縮來提高晶片運算速度。但是當通道長度進入深次微米甚至奈米等級後,短通道效應越來越嚴重。例如:Vt roll off、DIBL、 ,Punch th…
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本論文提出三個電路,第一個電路先描述一個超寬鎖頻範圍除五注入鎖定除頻器,是使用 TSMC 0.18 μm CMOS製程。此注入鎖定除頻器是使用雙諧振RLC共振腔以及線性混波器來擴展鎖頻範圍。量測結果…